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              離子精修儀- TEM 樣品精修

              更新時間:2023-11-15
              產品型號:Gentle Mill
              所屬分類:離子精修儀-TEM樣品精修
              描述:Technoorg Gentle Mill 離子精修儀產品專為最終拋光、精修和改善 FIB 處理后的樣品而設計。 Gentle Mill 型號非常適合要求樣品無加工痕跡、表面幾乎沒有任何損壞的 XTEM、HRTEM 或 STEM 的用戶。 同時,Gentle Mill 還適用于快速減薄凹坑或超薄平面 (< 25 μm) 以及機械拋光樣品。
              詳情介紹

              Gentle Mill 離子精修儀--用于制備高質量 TEM/FIB 樣品的離子束工作站

               

              Technoorg Gentle Mill 離子精修儀產品專為最終拋光、精修和改善 FIB 處理后的樣品而設計。 Gentle Mill 型號非常適合要求樣品無加工痕跡、表面幾乎沒有任何損壞的 XTEM、HRTEM 或 STEM 的用戶。 同時,Gentle Mill 還適用于快速減薄凹坑或超薄平面 (< 25 μm) 以及機械拋光樣品。

               

              離子精修儀.jpg

               

              產品特色:

              1. 快速、可靠地精修和處理 TEM 和 FIB 樣品

              2.  帶有預編程的設置,可進行自動化操作

              3. 可應用于工業環境中

              4. 直接匹配日立 FIB-STEM/TEM 系統 3D 樣品臺

               

              性能參數

               

              低能離子槍(固定型)

              • 離子能量:100 - 2000 eV,連續可調

              • 離子電流密度:最大 10 mA/cm2

              •  離子束流:7 - 80 μA,連續可調

              •  離子束直徑:750 - 1200 μm (FWHM)電控優化的工作氣流

              • 在 2000 eV 離子能量和 30° 入射角下,c-Si 的研磨速率為 28 μm/h

               

              樣品臺

              • 切削角度:0° - 40°,每 0.1° 連續可調

              • 可進行計算機控制的平面內樣品旋轉和擺動(從 ±10° 到±120°,每 10° 連續可調)

              • 可適用的 TEM 樣品的厚度范圍 (30 -200 μm)

               

              樣品處理

              • 用于快速樣品交換的真空鎖系統

              • 全機械、無膠裝載

              • 專為 XTEM 樣品設計的鈦夾和封裝技術

               

              真空系統

              Pfeiffer 真空系統配備無油隔膜和渦輪分子泵,配備緊湊的全范圍 Pirani/Penning 真空計

               

              供氣系統

              • 99.999% 純氬氣,絕對壓力為 1.3 - 1.7 bar

              • 帶有電子出口壓力監測功能的惰性氣體專用壓力調節器

              • 工作氣體流量高精準控制

               

              成像系統

              • 用于全視覺控制和切削監控/終止的 CMOS 相機圖像

              • 高分辨率彩色 CMOS 相機

              • 50 - 400 倍放大范圍的手動變焦視頻鏡頭

               

              電腦控制

              •  內置工業級計算機

              • 簡單便捷的圖形界面和圖像分析模塊

              • 通過鼠標點擊或拖動輕松控制所有重要參數

              • 高度自動化的操作機制,最大限度地減少人工干預

               

              電源要求

              100 - 120 V/3.0 A/60 Hz 或 220 - 240 V/1.5 A/50 Hz ? 單相

               

              應用案例

               

              01. Gentle Mill 對在各種 FIB 制備的樣品進行低能量 Ar+ 氬離子研磨顯著降低了受損的非晶表面層的厚度。可以實現對 65 nm 節點半導體器件進行原子級結構分析。

               

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