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              通過激光直寫技術(shù)制造光子設(shè)備:SEM如何作出貢獻

               更新時間:2017-11-14 點擊量:3615

              光子設(shè)備被廣泛應用于自然科學中,用于制造,操作和探測光。在未來,制造先進的光子設(shè)備將是一種挑戰(zhàn),并需要靈活性和可調(diào)諧性。因為它們需要先進的三維光刻技術(shù), 制造這些設(shè)備并非易事。激光直寫技術(shù)(DLW)是一種有趣的方式,它的目標是運用液態(tài)晶體光刻膠作為感光材料。

               

              在這篇博客中, 我們將描述用于生產(chǎn)人造橡膠光學可調(diào)諧光子設(shè)備的光刻膠是如何進行特殊設(shè)計和測試的,以及如何用掃描電子顯微鏡(SEM)來幫助設(shè)計改進過程。

               

              利用激光直寫制造光子器件

               

              激光直寫是一種三維光刻技術(shù),它能使結(jié)構(gòu)的制作到 100 納米。一種超快的激光聚焦在一種透明材料的體積內(nèi),稱為光刻膠,它可以吸收兩個或多個光子,并局部聚合。DWL的流程圖如圖1所示。首先, 激光光束集中在光阻材料內(nèi)(i),然后根據(jù)預先定義的設(shè)計掃描(ii)。在開發(fā)步驟(iii)樣品沉浸在一個適當?shù)囊后w,展示了圖案的結(jié)構(gòu)(iv)。因為它可以使用各種各樣的材料作為光刻膠,DLW漸漸被用于很多不同的實驗室的不同應用程序中。(A. Selimis et al, Microelectronic Engineering, 132 (2015), 83-89)。

               

              圖1: 激光直寫流程(DWL): i) 光束聚焦,ii) 激光書寫,iii) 開發(fā)和iv) 完成結(jié)構(gòu) (A. Selimis et al, Microelectronic Engineering, 132 (2015), 83-89)。

               

              光刻膠材料:液晶光刻膠的設(shè)計

               

              三維液晶彈性體(LCE)結(jié)構(gòu)是光阻材料,可以在光的照射下變形,并將彈性體聚合物與液晶結(jié)合起來。它們正變得越來越有趣,因為通過化學控制它們的分子結(jié)構(gòu),可以調(diào)節(jié)它們的行為。S. Nocentini等研究了使用不同的液晶混合物制作三維LCE微觀結(jié)構(gòu)。對每個光刻膠的書寫條件進行了研究,并研究了自立式結(jié)構(gòu)的可行性。(材料2016,9,525;doi:10.3390)

               

              LCE光刻膠的設(shè)計需要三種元素:

              • 聚芳酯,一種可以顯示液晶性能的化合物;
              • 交叉鏈接,它提供了一個具有彈性力學響應的網(wǎng)絡(luò);
              • 光引發(fā)劑,通過光吸收提供聚合。

               

              通過改變這三種元素的比值,可以得到具有不同化學性質(zhì)和物理性質(zhì)的LCE光刻膠。例如,聚合反應閾值,定義為能夠創(chuàng)建明確高分子線的zui低能量,可以通過改變書寫速度和激光功率來調(diào)整。

               

              通過掃描電子顯微鏡(SEM)對由兩個參數(shù)變化引起的結(jié)構(gòu)變化進行成像,如圖2所示。雖然書寫速度對所獲得的結(jié)構(gòu)有一定的影響,但激光功率對聚合反應閾值有很強的影響。

               

              圖2: 左邊的SEM顯微圖和線條放大的圖像,是通過不同的激光功率和書寫速度獲得的。

               

              為了提高結(jié)構(gòu)的剛性,可以調(diào)合光刻膠的書寫參數(shù),以及光刻膠的成分。這對于像木柴堆制造三維光子晶體所需要的懸浮線路是極其重要的。

               

              圖3演示了三維結(jié)構(gòu)的SEM顯微圖,光刻膠具有不同構(gòu)成和不同的聚合反應閾值(PR- 20,PR-30和PR-40)。不同的光能也顯示出來。使用PR- 20制造的結(jié)構(gòu)更柔和,但也包含少量銳利邊緣,而那些用PR- 40制作的結(jié)構(gòu)更堅硬和更垂直。

               

              圖3: 使用不同的光功率和不同光刻膠(a – c)、 特定結(jié)構(gòu)放大圖(d和e)的掃描電子顯微鏡的結(jié)構(gòu)圖案,并放大圖像。標尺為10µm。

               

              利用綠色聚焦激光的輻照圓柱結(jié)構(gòu)對設(shè)計光刻膠的光響應也進行了測試。用一個中性密度輪濾光器來改變光的強度,而焦點則覆蓋了整個圓柱體的表面。從頂部可見的變形,如圖4所示。

              圖4:圓柱形結(jié)構(gòu)的SEM圖像,用于研究光刻膠的光響應。標尺寸為 10µm。

               

              綜上所述,LCE光刻膠的設(shè)計對制造結(jié)構(gòu)的質(zhì)量至關(guān)重要。為了獲得剛性和明確定義的三維設(shè)備,還需要對模式參數(shù)進行微調(diào)。

                                              

              正如在之前的博客中所展示的,SEM是一個強大的工具,能夠?qū)D案結(jié)構(gòu)進行成像,從而對光刻設(shè)計和書寫過程的質(zhì)量確定提供有價值的見解。電子顯微鏡的高空間分辨率對于成像和確定納米尺寸和結(jié)構(gòu)的大小是*的。

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